casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHP25N50E-GE3
codice articolo del costruttore | SIHP25N50E-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHP25N50E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHP25N50E-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1980pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP25N50E-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHP25N50E-GE3-FT |
SI3473DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3473DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3474DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3475DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3475DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3477DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3481DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3481DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3483DV-T1-E3
Vishay Siliconix
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel