casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQD50N04-5M6L_GE3
codice articolo del costruttore | SQD50N04-5M6L_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQD50N04-5M6L_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQD50N04-5M6L_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD50N04-5M6L_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQD50N04-5M6L_GE3-FT |
SIHP24N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHP22N60AE-GE3
Vishay Siliconix
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SIHP22N60E-E3
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