casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQ9407EY-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQ9407EY-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQ9407EY-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ9407EY-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ9407EY-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQ9407EY-T1_GE3-FT |
SI4470EY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4470EY-T1-GE3
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SI4472DY-T1-E3
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SI4472DY-T1-GE3
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SI4480DY-T1-E3
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SI4483EDY-T1-E3
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SI4483EDY-T1-GE3
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SI4484EY-T1-E3
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SI4484EY-T1-GE3
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SI4485DY-T1-GE3
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EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel