casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4484EY-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI4484EY-T1-E3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI4484EY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4484EY-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 6.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4484EY-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4484EY-T1-E3-FT |
RUS100N02TB
Rohm Semiconductor
RXH125N03TB1
Rohm Semiconductor
SI4004DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4038DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4048DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4090DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4102DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4102DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4104DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4104DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel