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Vishay Siliconix SQ4153EY-T1_GE3

Name: SQ4153EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4153EY-T1_GE3
Price: 0.62976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (346 reviews)

Numero parte MFG: SQ4153EY-T1_GE3

quantità disponibile: 68590 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.62976

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SQ4153EY-T1_GE3.pdf

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SQ4153EY-T1_GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SQ4153EY-T1_GE3
Numero di parte futuro	FT-SQ4153EY-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQ4153EY-T1_GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.32 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	151nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 6V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	7.1W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQ4153EY-T1_GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SQ4153EY-T1_GE3-FT

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