casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQ1912EH-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQ1912EH-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQ1912EH-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ1912EH-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.15nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ1912EH-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQ1912EH-T1_GE3-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
APA075-TQ144I
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
AGLE3000V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3
Intel
EP3SL70F484C2
Intel
A40MX02-PQG100
Microsemi Corporation
10AX115N4F40I4SGES
Intel
EPF10K70RC240-2N
Intel