casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFSL7734PBF
codice articolo del costruttore | IRFSL7734PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFSL7734PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
IRFSL7734PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 183A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 290W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFSL7734PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFSL7734PBF-FT |
IRF3515L
Infineon Technologies
IRF3704L
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M2GL025T-1VFG256I
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