casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD15P10PGBTMA1
codice articolo del costruttore | SPD15P10PGBTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPD15P10PGBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® |
SPD15P10PGBTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 10.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1.54mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1280pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 128W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD15P10PGBTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD15P10PGBTMA1-FT |
IPD65R190C7ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD65R1K4C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R1K4CFDATMA1
Infineon Technologies
IPD65R1K4CFDBTMA1
Infineon Technologies
IPD65R225C7ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R250C6XTMA1
Infineon Technologies
IPD65R380C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R380C6BTMA1
Infineon Technologies
IPD65R380E6ATMA1
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel