casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPD15N06S2L-64
codice articolo del costruttore | SPD15N06S2L-64 |
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Numero di parte futuro | FT-SPD15N06S2L-64 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPD15N06S2L-64 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 445pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 47W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD15N06S2L-64 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPD15N06S2L-64-FT |
IPD64CN10N G
Infineon Technologies
IPD65R190C7ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD65R1K4C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R1K4CFDATMA1
Infineon Technologies
IPD65R1K4CFDBTMA1
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IPD65R225C7ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R250C6XTMA1
Infineon Technologies
IPD65R380C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD65R380C6BTMA1
Infineon Technologies
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel