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Infineon Technologies SPD04P10PLGBTMA1

Numero parte MFG
SPD04P10PLGBTMA1
quantità disponibile
51440 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.262344
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
SIPMOS® MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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SPD04P10PLGBTMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore SPD04P10PLGBTMA1
Numero di parte futuro FT-SPD04P10PLGBTMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
SPD04P10PLGBTMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 380µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 372pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPD04P10PLGBTMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SPD04P10PLGBTMA1-FT

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