casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRLML6346TRPBF
codice articolo del costruttore | IRLML6346TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRLML6346TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLML6346TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 24V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Micro3™/SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLML6346TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRLML6346TRPBF-FT |
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IXYS
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IXYS
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
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