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ON Semiconductor NTB13N10T4G

Numero parte MFG
NTB13N10T4G
quantità disponibile
49190 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-NTB13N10T4G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTB13N10T4G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 64.7W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTB13N10T4G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NTB13N10T4G-FT

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