casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPB47N10
codice articolo del costruttore | SPB47N10 |
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Numero di parte futuro | FT-SPB47N10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
SPB47N10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 175W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB47N10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPB47N10-FT |
NP60N055KUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP70N10KUF-E1-AY
Renesas Electronics America
NP80N04KHE-E1-AY
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NP80N04PLG-E1B-AY
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NP80N04PUG-E1B-AY
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NP82N03PUG-E1-AY
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NP82N04PDG-E1-AY
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NP82N055PUG-E1-AY
Renesas Electronics America
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
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Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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