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Renesas Electronics America NP80N04PUG-E1B-AY

Name: NP80N04PUG-E1B-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP80N04PUG-E1B-AY
Availability: InStock
Rating: 5.0 (667 reviews)

Numero parte MFG: NP80N04PUG-E1B-AY

quantità disponibile: 37440 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NP80N04PUG-E1B-AY.pdf

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NP80N04PUG-E1B-AY specificazioni

codice articolo del costruttore	NP80N04PUG-E1B-AY
Numero di parte futuro	FT-NP80N04PUG-E1B-AY
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NP80N04PUG-E1B-AY Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7350pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta), 115W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP80N04PUG-E1B-AY Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NP80N04PUG-E1B-AY-FT

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