casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPB18P06P
codice articolo del costruttore | SPB18P06P |
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Numero di parte futuro | FT-SPB18P06P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
SPB18P06P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 81.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB18P06P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPB18P06P-FT |
NP100P04PLG-E1-AY
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NP100P06PDG-E1-AY
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NP100P06PLG-E1-AY
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NP109N055PUJ-E1B-AY
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NP110N03PUG-E1-AY
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NP110N04PUG-E1-AY
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NP110N055PUG-E1-AY
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NP36P04KDG-E1-AY
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NP36P06KDG-E1-AY
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NP48N055KLE-E1-AY
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