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Infineon Technologies SPB17N80C3ATMA1

Numero parte MFG
SPB17N80C3ATMA1
quantità disponibile
82070 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.190248
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolMOS™ MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SPB17N80C3ATMA1
Numero di parte futuro FT-SPB17N80C3ATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™
SPB17N80C3ATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 177nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB17N80C3ATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SPB17N80C3ATMA1-FT

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