casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPB10N10L
codice articolo del costruttore | SPB10N10L |
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Numero di parte futuro | FT-SPB10N10L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
SPB10N10L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 154 mOhm @ 8.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 21µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 444pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB10N10L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPB10N10L-FT |
IRLZ44ZS
Infineon Technologies
IRLZ44ZSPBF
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NDBA100N10BT4H
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NP100P04PDG-E1-AY
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M2GL025-1FG484I
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APA600-BG456M
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EP3SE110F780C4L
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