casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NDBA180N10BT4H
codice articolo del costruttore | NDBA180N10BT4H |
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Numero di parte futuro | FT-NDBA180N10BT4H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDBA180N10BT4H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V, 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 50A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6950pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDBA180N10BT4H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDBA180N10BT4H-FT |
IRL3705ZS
Infineon Technologies
IRL3705ZSPBF
Infineon Technologies
IRL3705ZSTRL
Infineon Technologies
IRL3705ZSTRLPBF
Infineon Technologies
IRL3713SPBF
Infineon Technologies
IRL3713STRLPBF
Infineon Technologies
IRL3713STRRPBF
Infineon Technologies
IRL3714S
Infineon Technologies
IRL3714SPBF
Infineon Technologies
IRL3714STR
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel