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ON Semiconductor NDBA180N10BT4H

Name: NDBA180N10BT4H
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDBA180N10BT4H
Availability: InStock
Rating: 4.7 (686 reviews)

Numero parte MFG: NDBA180N10BT4H

quantità disponibile: 53880 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NDBA180N10BT4H.pdf

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NDBA180N10BT4H specificazioni

codice articolo del costruttore	NDBA180N10BT4H
Numero di parte futuro	FT-NDBA180N10BT4H
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NDBA180N10BT4H Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6950pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDBA180N10BT4H Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NDBA180N10BT4H-FT

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