casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPB10N10L G
codice articolo del costruttore | SPB10N10L G |
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Numero di parte futuro | FT-SPB10N10L G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
SPB10N10L G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 154 mOhm @ 8.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 21µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 444pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB10N10L G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPB10N10L G-FT |
IRLZ44ZSPBF
Infineon Technologies
IRLZ44ZSTRRPBF
Infineon Technologies
NDBA100N10BT4H
ON Semiconductor
NDBA170N06AT4H
ON Semiconductor
NDBA180N10BT4H
ON Semiconductor
NP100P04PDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP100P04PLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP100P06PDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP100P06PLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP109N055PUJ-E1B-AY
Renesas Electronics America
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel