casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPA02N80C3XKSA1
codice articolo del costruttore | SPA02N80C3XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPA02N80C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPA02N80C3XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPA02N80C3XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPA02N80C3XKSA1-FT |
TK4P55DA(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4P60DA(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4P60DB(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK50P03M1(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5P50D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5P53D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK65S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6P53D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7P50D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel