casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK60S06K3L(T6L1,NQ
codice articolo del costruttore | TK60S06K3L(T6L1,NQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK60S06K3L(T6L1,NQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSIV |
TK60S06K3L(T6L1,NQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 88W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK+ |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK60S06K3L(T6L1,NQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK60S06K3L(T6L1,NQ-FT |
IRLR8726TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR8729PBF
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IRLR8729TRLPBF
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IRLR8743PBF
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IRLR8743TRLPBF
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IRLR9343TRLPBF
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IXCY01N90E
IXYS
IXTU5N50P
IXYS
IXTY01N80
IXYS
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
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M7A3P1000-FGG256I
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A40MX04-1PL68
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
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