casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / SMUN5335DW1T1G
codice articolo del costruttore | SMUN5335DW1T1G |
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Numero di parte futuro | FT-SMUN5335DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMUN5335DW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 187mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5335DW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMUN5335DW1T1G-FT |
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC123JPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124XDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC124XPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143EDXV6T1
ON Semiconductor
XC7A100T-1FTG256C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-85F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-2HT176I
Xilinx Inc.
10M08DCF484I7G
Intel
5SGXMA4K1F40C1N
Intel
5SGXMA5N3F45I3LN
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC4044XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
10AX032E1F29E1SG
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel