casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSBC113EDXV6T5
codice articolo del costruttore | NSBC113EDXV6T5 |
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Numero di parte futuro | FT-NSBC113EDXV6T5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBC113EDXV6T5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC113EDXV6T5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSBC113EDXV6T5-FT |
NSBC114EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA123TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC115TPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC144WDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA144WDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC114TDP6T5G
ON Semiconductor
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1
Intel
EP2AGX125DF25C5
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
5SGXEA7H2F35C3N
Intel
XC6VLX240T-1FF784C
Xilinx Inc.