casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / SMUN2211T3G
codice articolo del costruttore | SMUN2211T3G |
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Numero di parte futuro | FT-SMUN2211T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMUN2211T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN2211T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMUN2211T3G-FT |
UNR42170RA
Panasonic Electronic Components
UNR421900A
Panasonic Electronic Components
UNR421D00A
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UNR421F00A
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UNR421L00A
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UNR422200A
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UNR412100A
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A3P015-2QNG68
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XA2S100E-6TQ144Q
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LCMXO640C-3TN144C
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A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
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XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel