casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR422100A
codice articolo del costruttore | UNR422100A |
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Numero di parte futuro | FT-UNR422100A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR422100A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 100mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 3-SSIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | NS-B1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR422100A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR422100A-FT |
UNR521M00L
Panasonic Electronic Components
UNR521MG0L
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UNR521N00L
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UNR521T00L
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UNR52A0G0L
Panasonic Electronic Components
UNR52A1G0L
Panasonic Electronic Components
A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208A
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100A
Microsemi Corporation
5SGXEA5K3F35C3N
Intel
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016AQC208-3N
Intel
5SGSMD4H2F35C1N
Intel