casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBTA64LT1G
codice articolo del costruttore | MMBTA64LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBTA64LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBTA64LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | 125MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTA64LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBTA64LT1G-FT |
MMBT5087LT1G
ON Semiconductor
MMBT5088LT1G
ON Semiconductor
MMBT5089LT1G
ON Semiconductor
MMBT5550LT1G
ON Semiconductor
MMBT6429LT1G
ON Semiconductor
MMBT6521LT1G
ON Semiconductor
MMBT8099LT1G
ON Semiconductor
MMBTA63LT1G
ON Semiconductor
MSC2712GT1G
ON Semiconductor
NSS30101LT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel