casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SMCG8.5AHE3/57T
codice articolo del costruttore | SMCG8.5AHE3/57T |
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Numero di parte futuro | FT-SMCG8.5AHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCG8.5AHE3/57T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 8.5V |
Voltage - Breakdown (Min) | 9.44V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 14.4V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 104.2A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AB (SMCG) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG8.5AHE3/57T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMCG8.5AHE3/57T-FT |
SMCG28AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG30A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG30A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG30A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG30AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG30AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG33A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG33A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG33A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG33AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation