casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SMCG33AHE3/57T
codice articolo del costruttore | SMCG33AHE3/57T |
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Numero di parte futuro | FT-SMCG33AHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCG33AHE3/57T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 33V |
Voltage - Breakdown (Min) | 36.7V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 53.3V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 28.1A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AB (SMCG) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG33AHE3/57T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMCG33AHE3/57T-FT |
SMCG11AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG120A-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG120A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG120AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG120AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG12A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG12A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG12A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG12AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCG12AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
EP4CE22F17C9L
Intel
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
M1A3P1000-1FGG144M
Microsemi Corporation
EPF10K10AQC208-3N
Intel