casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM8S43AHE3_A/I
codice articolo del costruttore | SM8S43AHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-SM8S43AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S43AHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 43V |
Voltage - Breakdown (Min) | 47.8V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 69.4V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 95.1A |
Potenza - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S43AHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM8S43AHE3_A/I-FT |
SM8S12-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2L
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation