casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM8S13A-001HE3/2D
codice articolo del costruttore | SM8S13A-001HE3/2D |
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Numero di parte futuro | FT-SM8S13A-001HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S13A-001HE3/2D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 13V |
Voltage - Breakdown (Min) | 14.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 21.5V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 307A |
Potenza - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S13A-001HE3/2D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM8S13A-001HE3/2D-FT |
SM5S33AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3_A/K
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A35T-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
5SGXEA7K3F35C2LN
Intel
A1020B-2PL44C
Microsemi Corporation
XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8N
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel