casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM8S28AHE3/2D
codice articolo del costruttore | SM8S28AHE3/2D |
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Numero di parte futuro | FT-SM8S28AHE3/2D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S28AHE3/2D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 28V |
Voltage - Breakdown (Min) | 31.1V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 45.4V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 145A |
Potenza - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S28AHE3/2D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM8S28AHE3/2D-FT |
SM6S26A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XC3S1000-4FG320C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45E3LG
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel