casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM6S26AHE3_A/I
codice articolo del costruttore | SM6S26AHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-SM6S26AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S26AHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 26V |
Voltage - Breakdown (Min) | 28.9V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 42.1V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 109A |
Potenza - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S26AHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM6S26AHE3_A/I-FT |
SM5S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22A-6000HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel