casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM6S26AHE3_A/I
codice articolo del costruttore | SM6S26AHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-SM6S26AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S26AHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 26V |
Voltage - Breakdown (Min) | 28.9V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 42.1V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 109A |
Potenza - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S26AHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM6S26AHE3_A/I-FT |
SM5S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22A-6000HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-6FG900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-8LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL125V2-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40I3
Intel
5SGSED8K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
LFEC20E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2SG
Intel
EP2SGX130GF40C5
Intel