casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SM8S26HE3/2E
codice articolo del costruttore | SM8S26HE3/2E |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SM8S26HE3/2E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S26HE3/2E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 26V |
Voltage - Breakdown (Min) | 28.9V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 46.6V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 142A |
Potenza - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-218AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-218AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S26HE3/2E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SM8S26HE3/2E-FT |
SM6S24AHE3J_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4013XL-1HT144C
Xilinx Inc.
LFEC1E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A54SX16A-2PQ208
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68C
Microsemi Corporation
5SGXEA5K3F35C2LN
Intel
5SGXEA3K2F35C2N
Intel
EP3SE80F1152I4N
Intel
LFE3-95EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation