casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VSSA36S-M3/61T
codice articolo del costruttore | VSSA36S-M3/61T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VSSA36S-M3/61T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VSSA36S-M3/61T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 900µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 245pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSA36S-M3/61T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VSSA36S-M3/61T-FT |
SS23S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel