casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD50NH02L-1
codice articolo del costruttore | STD50NH02L-1 |
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Numero di parte futuro | FT-STD50NH02L-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ III |
STD50NH02L-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD50NH02L-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD50NH02L-1-FT |
STB33N60M2
STMicroelectronics
STB33N65M2
STMicroelectronics
STB34N50DM2AG
STMicroelectronics
STB34N65M5
STMicroelectronics
STB34NM60N
STMicroelectronics
STB35N60DM2
STMicroelectronics
STB36NM60N
STMicroelectronics
STB38N65M5
STMicroelectronics
STB40N60M2
STMicroelectronics
STB43N60DM2
STMicroelectronics
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel