casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SK8603190L
codice articolo del costruttore | SK8603190L |
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Numero di parte futuro | FT-SK8603190L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SK8603190L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1.01mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1092pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Ta), 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | HSO8-F4-B |
Pacchetto / caso | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SK8603190L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SK8603190L-FT |
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XC4005XL-3VQ100I
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M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
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EP20K200EFC484-2XN
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5SGXEA5K3F40I3LN
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EP4CE6E22C8N
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5SGXEA3H2F35I3LN
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