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Rohm Semiconductor SCT2080KEC
- Numero parte MFG
- SCT2080KEC
- quantità disponibile
- 49940 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 18.704
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Rohm Semiconductor
- Breve descrizione
- - MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- SCT2080KEC.pdf
SCT2080KEC specificazioni
| codice articolo del costruttore | SCT2080KEC |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SCT2080KEC |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| SCT2080KEC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117 mOhm @ 10A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 18V |
| Vgs (massimo) | +22V, -6V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2080pF @ 800V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 262W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SCT2080KEC Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SCT2080KEC-FT |
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