casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SK8603180L
codice articolo del costruttore | SK8603180L |
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Numero di parte futuro | FT-SK8603180L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SK8603180L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 39A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1.45mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | HSO8-F4-B |
Pacchetto / caso | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SK8603180L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SK8603180L-FT |
FKI07174
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FKI10126
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SCT2080KEC
Rohm Semiconductor
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel