casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SK53CHM6G
codice articolo del costruttore | SK53CHM6G |
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Numero di parte futuro | FT-SK53CHM6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SK53CHM6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SK53CHM6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SK53CHM6G-FT |
S5D V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5GB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5GBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5J V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5K V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5KB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5M R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5M V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8JC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel