casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S5GBHR5G
codice articolo del costruttore | S5GBHR5G |
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Numero di parte futuro | FT-S5GBHR5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S5GBHR5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S5GBHR5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S5GBHR5G-FT |
S4B R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4G R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4J V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S4K R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5A R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5B R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5D R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5G R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5J R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel