casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SK215AHM2G
codice articolo del costruttore | SK215AHM2G |
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Numero di parte futuro | FT-SK215AHM2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SK215AHM2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SK215AHM2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SK215AHM2G-FT |
ES1FHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2AA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2AAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2BAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2BAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel