casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SISS26DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SISS26DN-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SISS26DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SISS26DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1710pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS26DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SISS26DN-T1-GE3-FT |
SIHB23N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB24N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHB24N65ET1-GE3
Vishay Siliconix
SIHB24N65ET5-GE3
Vishay Siliconix
SIHB30N60E-E3
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SIHB30N60E-GE3
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SIHB33N60E-GE3
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SIHB33N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
SIHB33N60ET5-GE3
Vishay Siliconix
IRLU014PBF
Vishay Siliconix
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
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EP20K1000EFC33-3
Intel