casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SISC185N06LX1SA1
codice articolo del costruttore | SISC185N06LX1SA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SISC185N06LX1SA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
SISC185N06LX1SA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISC185N06LX1SA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SISC185N06LX1SA1-FT |
RJK5030DPD-02#J2
Renesas Electronics America
RJK5031DPD-01#J2
Renesas Electronics America
RJK6002DPD-WS#J2
Renesas Electronics America
RJK6011DJE-00#Z0
Renesas Electronics America
RJK6013DPE-WS#J3
Renesas Electronics America
RJK6024DPH-E0#T2
Renesas Electronics America
RJL6013DPE-WS#J3
Renesas Electronics America
RJL6018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RQA0002DNSTB-E
Renesas Electronics America
RQA0004PXDQS#H1
Renesas Electronics America
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel