casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SISA40DN-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SISA40DN-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SISA40DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SISA40DN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 43.7A (Ta), 162A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +12V, -8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3415pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISA40DN-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SISA40DN-T1-GE3-FT |
IRLU014
Vishay Siliconix
IRLU024
Vishay Siliconix
IRLU110
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IRFU010
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A40MX02-VQG80M
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EP4SGX530KF43C3
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