casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIRA36DP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIRA36DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIRA36DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIRA36DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2815pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA36DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIRA36DP-T1-GE3-FT |
SISA18DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA72ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ7414AEN-T1_GE3
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SQS460EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
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SI7148DP-T1-E3
Vishay Siliconix
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel