casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI7143DP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI7143DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI7143DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7143DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 16.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7143DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI7143DP-T1-GE3-FT |
SI7100DN-T1-E3
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SI7100DN-T1-GE3
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SI7102DN-T1-GE3
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SI7107DN-T1-E3
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SI7107DN-T1-GE3
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SI7108DN-T1-E3
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SI7110DN-T1-E3
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SI7110DN-T1-GE3
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SI7112DN-T1-E3
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