casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIR692DP-T1-RE3
codice articolo del costruttore | SIR692DP-T1-RE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIR692DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ThunderFET® |
SIR692DP-T1-RE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 7.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1405pF @ 125V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR692DP-T1-RE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIR692DP-T1-RE3-FT |
IRF9640
Vishay Siliconix
IRF9Z14
Vishay Siliconix
IRF9Z24
Vishay Siliconix
IRF9Z30
Vishay Siliconix
IRF9Z34
Vishay Siliconix
IRFB11N50A
Vishay Siliconix
IRFB13N50A
Vishay Siliconix
IRFB16N50K
Vishay Siliconix
IRFB16N50KPBF
Vishay Siliconix
IRFB16N60LPBF
Vishay Siliconix
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel