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Vishay Siliconix SI7366DP-T1-E3

Numero parte MFG
SI7366DP-T1-E3
quantità disponibile
53900 pezzi
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SI7366DP-T1-E3
Numero di parte futuro FT-SI7366DP-T1-E3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI7366DP-T1-E3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso PowerPAK® SO-8
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI7366DP-T1-E3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI7366DP-T1-E3-FT

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