casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI3474DV-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI3474DV-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI3474DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3474DV-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 126 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 196pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3474DV-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI3474DV-T1-GE3-FT |
SI3483CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3456DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3457EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3469DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3460BDV-T1-E3
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SI3410DV-T1-GE3
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SI3459BDV-T1-GE3
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SQ3456BEV-T1_GE3
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SI3437DV-T1-E3
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SI3421DV-T1-GE3
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A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel