casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIF912EDZ-T1-E3
codice articolo del costruttore | SIF912EDZ-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIF912EDZ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIF912EDZ-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.6W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 2x5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® (2x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIF912EDZ-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIF912EDZ-T1-E3-FT |
GMM3X100-01X1-SMDSAM
IXYS
GMM3X120-0075X2-SMDSAM
IXYS
GMM3X160-0055X2-SMD
IXYS
GMM3X160-0055X2-SMDSAM
IXYS
GMM3X180-004X2-SMD
IXYS
GMM3X180-004X2-SMDSAM
IXYS
GMM3X60-015X2-SMD
IXYS
GMM3X60-015X2-SMDSAM
IXYS
GWM100-0085X1-SMD
IXYS
GWM100-0085X1-SMD SAM
IXYS
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
M2GL060-FCSG325
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG176
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
5SGSMD6N2F45I3LN
Intel
5SGXEABK3H40C2N
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154I
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-1FFG1923I
Xilinx Inc.